<>
Роскосмос Федеральное космическое агентство
«Роскосмос»
МАКД Международная ассоциация участников
космической деятельности
Поехали!
Микроэлектронное производство

Микроэлектронное производство представляет собой высокотехнологичный комплекс создания малогабаритных электронных устройств четвертого поколения, построенных на унифицированных конструктивах и базирующихся на современных достижениях в области:

  • твердотельной технологии системных компонентов больших и сверхбольших интегральных схем;
  • тонкопленочной технологии гибридных системных компонентов;
  • микрополосковой технологии гибридных СВЧ-системных компонентов;
  • технологии высокоинтегрированных полиимидных плат системных компонентов и гибких кабельных соединителей;
  • технологии многослойных печатных плат;
  • технологии приборного монтажа по схеме «непрерывной микросборки»;
  • технологии тонкостенного литья и пульсирующей штамповки;
  • технологии гальванопластики и блочной герметизации электронных устройств четвертого поколения ;
  • технологии обеспечения комфортных условий эксплуатации для системных устройств при воздействии механических дестабилизирующих факторов .

Освоены полупроводниковые К-МОП технологии изготовления УЭП по типу бескорпусных больших интегральных схем с числом выводов до 60 и до 5 тысяч транзисторов на кристалл:

  • с поликремниевым 5-мкм несамосовмещенным и 3-мкм самосовмещенным затвором и изоляцией элементов p-n переходами. Для аналого-цифровых УЭП используется вариант К-МОП технологии с повышенным двуполярным напряжения питания, реализацией встроенных поликремниевых высокоомных резисторов, конденсаторов и стабилитронов. Для некритичных применений освоена К-МОП технология с ЛОКОС изоляцией элементов;

 

  • Fabless- разработка специализированных аналого-цифровых БИС и интегральных датчиков;
  • разработка топологии К-МОП БИС, полупроводниковых приборов, микроэлектронных датчиков и изделий микросистемотехники на базе электрических схем и эскизов топологии, представляемых Заказчиком;
  • мелкосерийное и экспериментальное производство заказных аналого-цифровых БИС на КМОП-транзисторах ( в т.ч. в радиационостойком исполнении, работоспособных при температуре 225ОС) на подложках из кремния, КНИ и КНС диаметром до 100 мм с проектными нормами до 2,5 мкм;
  • изготовление фотошаблонов с разрешением до 2,5 мкм.
  • для изготовления и модернизации УЭП прошлых лет разработки применяется К-МОП технология с алюминиевым затвором;
  • возможно создание заказных решений на базе технологий, применяемых на предприятии при изготовлении дискретных силовых биполярных полупроводниковых приборов, Д-МОП силовых (под бортсеть) ключей, чувствительных элементов датчиков, элементов микроэлектромеханики и cпецстойких К-МОП интегральных схем типа 564-В, 1526.

Технический потенциал предприятия позволяет обеспечить организацию специального мелкосерийного воспроизводства микроэлектронных компонентов общего применения с проектными нормами до 3 мкм, производство которых в Российской Федерации прекращено или утрачено.

Проведение прецизионных низкочастотных электрических измерений вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик полупроводниковых приборов и измерений поверхностных и контактных сопротивлений фигур Вандер-Пау тонкопленочных структур на измерительном комплексе типа Keithley 4200SCS, в том числе посредством контактирования на прецизионном зондовом оборудовании.

 

 

Подробная информация по микроэлектронному производству:

Начальник НПЦ-6 - Ворона Александр Викторович

Тел. : +7 (495) 513-12-66

         +7 (495) 513-11-74

 

 
Российская Федерация, 141074, г. Королёв, Московская область, ул. Пионерская, дом 2
тел.: +7 (495) 513-14-00;   факс:+7 (495) 513-14-49;   Е-mail: npoit@npoit.ru, marketing@npoit.ru